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供应AOD516A 40V 12A 晶体管MOSFET

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  • 联 系 人:林月娜女士

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规格

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 44 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1125pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 44 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1125pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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