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新洁能部分现货库存型号序號规格型號品牌封裝單位最小包裝1NC.

广东省深圳市 04-30

面议个
  • 第 1 年
规格FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电.

广东省深圳市 03-21

  • 第 1 年
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电.

广东省深圳市 03-18

  • 第 1 年
型号* 厂商*封装*批号*数量*(PCS) AH1809-.

广东省深圳市 03-14

  • 第 1 年
Part NumberStatusReplacementPa.

广东省深圳市 03-14

  • 第 1 年
规格FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电.

广东省深圳市 03-11

  • 第 1 年
音频功放IC芯片输出功率静态输出电压纹波抑制比通道隔离度封装.
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
中压大电流MOS芯片型号类型V(BR)DSS(Max)VGS.
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
N+P沟道MOSFETNCE1205DFN2X2-6L12V.
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
单P沟道低压MOS场效应管 型号 类型 V(BR)DSS .
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
高压MOS场效应管 型号类型V(BR)DSSVGSV.
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
高压超结MOS型号沟道VDS(Max)VGSVTHID(Ma.
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
电池充电管理IC芯片输入电压 最大充电电流充电类型充电截止.
fulihao

11-15

0PCS
  • 第 4 年
IXFH160N15T2 自家库存现货,原厂货源;优势价格;.

07-15

PCS
  • 第 7 年
IXFH6N120P自家库存现货,原厂货源;优势价格;承诺品.

07-15

PCS
  • 第 7 年
IXFH44N50P自家库存现货,原厂货源;优势价格;承诺品.

07-13

PCS
  • 第 7 年